Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
龍福 廣
JAERI-M 82-031, 127 Pages, 1982/04
水素原子とイオンH,He,Li,Be,B,C,O,Ne0およびSi4との衝突における電荷移動の部分断面積を衝突エネルギーE=10keV/amu(実験系)に対して示した。断面積の計算は励起、電離チャネルを考慮したユニタリー化歪曲波近似法(UDWA)で行った。データは図および表で示した。
龍福 廣; 佐々木 健; 渡部 力*
Phys.Rev.,A, 21(3), p.745 - 750, 1980/00
水素原子と部分的にストリップされた重イオンの低エネルギー衝突における電荷移動断面積の実験値を解析するために、入射粒子をある有効電荷をもった裸の核におきかえるというモデルを用いてUDWA計算を行なった。その結果、10keV/amu以下の低エネルギー領域において、断面積が有効電荷に対して強い振動依存性を示すことが分った。さらに、この振動依存性はジアバティクポテンシャル曲線の交差から来るものであり、低エネルギーにおいて、BayfieldおよびCrandall他によって観測された断面積が種々の元素(B,C,NおよびO)のイオンを衝突させた場合に非常に異なって来るという結果はこの断面積の振動的挙動に帰着することができることが分った。
龍福 廣; 渡辺 力*
Phys.Rev.,A, 20(5), p.1828 - 1837, 1979/00
ユニタリー化された歪曲波近似(UDWA)法を用いて、Ne+H,Si+HおよびCa+H衝突における全電荷移動断面積をイオン衝突エネルギーが各々0.025-2000,0.025-5000および0.1-10keV/amuの場合について計算した。また、これらの結果を基にイオン電荷に対する断面積のスケーリング則を導いた。入射粒子の個々の軌道への電子捕獲に対する部分断面積を調べた結果、次のことが分った。衝突エネルギーが100keV/amu以下の場合は、最も頻度の高い主量子数はエネルギーに無関係であるが、100keV/amu以上ではエネルギーと共に次第に減少する。また、各運動量量子数に対する終状態の分布には、レベルクロッシングおよび運動量移行の効果が現れていることが確かめられた。
龍福 廣; 渡辺 力*
Atomic Collision Res.in Jpn.,Prog.Rep., (4), p.36 - 38, 1978/04
電荷移動過程O+H(1s)O+Hに対する断面積を0.025~200keV-amuのエネルギー範囲について計算した。計算方法として、動的分子軌道を基底とするS-マトリックス形式化による方法を用いた。S-マトリックスの評価においては、「ユニタリー化DW法」と「吸収モデル化法」の二通りについて検討し、前者が妥当な方法であることが分かった。計算結果は中高エネルギー領域において極めて妥当であり、本法が有効であることを示した。